В ноутбуке GT683DX-460RU установлено 6 Gb Ram (4+2), хочу увеличить объем памяти до 12 или 16 Gb (для программ численного моделирования).
Обращался в официальные сервисы (Компьютерная клиника, R-Style Service)
Ответ Сервиса: ноутбук игровой серии, там разгон и все непросто … Привозите ноутбук, мы посмотрим какая там память, как работает, подберем вам, закажем память у производителя.
На встречное предложение: скажите какую память нужно, я ее куплю, привезу к вам и вы при мне ее установите, прогоним memtest (за это готов заплатить).
Ответ Сервиса: ноутбук игровой, модули памяти могут работать при пониженном напряжении или потребуется специальный тайминг памяти, может потребоваться специальная настройка БИОС, нужно тестировать, подпор памяти посмотри в мануале и рекомендации производителя.
(до 2000г. я работал на сборке ПК, сейчас занимаясь численными расчетами и подбираю для них сервера и кластеры и разные приколы (как правило отрицательные) и особенности железа и софта встречаются постоянно)
В связи с Ответами Сервиса эти есть ряд вопросов:
1. В мануале пользователя о модулях памяти ничего нет, рекомендации производителя на русском и английских сайтах MSI для этого ноута не нашел, сервисного мануала на западных сайтах не нашел, если что есть киньте ссылочку?
2. Какая память стоит в этом ноутбуке, по информации из SPD Everest определила только тайминги.
3. Требуется ли настройка для нее в скрытых сервисных разделах БИОС (в открытых разделах БИОС таких настроек нет), если да, то какое сочетание клавиш для входа в скрытые разделы, что требуется менять?
4. Какие требования к SO-DIMM DDR3-1333 Mhz для этой модели ноута (производитель- Samsung, Kingston, … диапазон рабочих напряжений для разгона, низкий профиль, или нужен ручной подбор планок …)?
5. Например 4 таких планки из одной партии будут нормально работать в этом ноуте [Samsung DDR3 SODIMM 4Gb, 1333MHz original
Форм-фактор - SODIMM 204-контактный
Поддержка ECC – нет
Буферизованная (Registered) – нет
Низкопрофильная (Low Profile) – нет
Тайминги: - CAS Latency (CL) - 9- RAS to CAS Delay (tRCD) - 9- Row Precharge Delay (tRP) - 9.
Дополнительно: - Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка- Напряжение питания - 1.5 В- Количество ранков – 2]?
4. В инструкции по эксплуатации есть строки: лист3-2, «Примечание:
Значение разгона зависит от используемого процессора.
При замене первоначально установленного центрального процессора или микросхемы
ОЗУ DRAM заводская гарантия аннулируется.»
Получается самому установить память нельзя?