берем к примеру поисковик Yandex:
CAS Latency - RAS to CAS Delay - Row Precharge - Activate to Precharge
Попробуем внести ясность в эти обозначения. Банк памяти состоит из двумерных массивов. Двумерный массив - это простейшая матрица, каждая ячейка которой имеет свой адрес, номер строки и номер столбца. Чтобы считать содержимое ячейки, сначала контроллер памяти должен задать номер строки и номер стобца, из которого считываются данные. Для выполнения этих операций контроллер должен подавать специальные сигналы на память.
RAS (Row Adress Strobe) - сигнал, определяющий адрес строки.
CAS (Column Adress Strobe) - сигнал, определяющий адрес столбца.
CAS Latency (CAS)- это количество тактов от момента запроса данных до их считывания с модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти.
RAS to CAS Delay (TRCD) - задержка между сигналами RAS и CAS. Как мы уже сказали, обращения к строкам и столбцам происходят отдельно друг от друга. Этот параметр определяет отставание одного сигнала от другого.
Row Precharge Delay (TRP) - задержка, необходимая на подзарядку емкостей ячеек памяти. Производится или закрытие целой строки.
Activate to Precharge (TRAS) - время активности строба. Минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge) или закрытия одного и того же банка.
Чем ниже эти тайминги, тем соответственно лучше: память будет работать быстрее с низкими задержками.
ЕЩЕ ОДНА ВЫДЕРЖКА:
Существует множество различных параметров, которые задают тайминги памяти, но чаще всего используются четыре из них: CAS Latency, RAS-CAS задержка (tRCD), RAS Precharge (tRP) и tRAS (продолжительность цикла). Если вы увидите на модулях обозначения “2.0-2-2-5” или “3.0-4-4-7”, можете не сомневаться, это упомянутые четыре параметра. Выясним, что представляет собой каждый из них.
CAS Latency – это задержка в тактах между получением команды чтения и окончанием ее выполнения. Стандартные значения для памяти DDR – 2 и 2,5 такта. В некоторых системах возможны значения 3 или 1,5. Например, CAS Latency 2 означает, что данные будут получены только через два такта после получения команды Read.
Задержка RAS-CAS известна как tRCD. Это задержка в тактах между получением команды Active и выполнением следующей за ней команды Read или Write (чтения или записи). Обычно, это 2, 3 или 4 такта.
RAS Precharge или tRP. Это задержка в тактовых циклах с момента получения команды Precharge до возможности выполнения следующей за ней команды Active. Обычные значения для этого параметра 2, 3 или 4 такта.
tRAS отображает минимальную задержку между командами Active и Precharge. Измеряется тоже в тактах и обычно имеет значение от 5 до 10.
Четверку этих параметров, как правило, можно изменять в разделе BIOS “Advanced Chipset”, но вполне возможно, что производители вашей материнской платы решили поместить эти настройки куда-нибудь в другой раздел. Вы уже могли заметить, что это задержки, поэтому, чем меньше значения таймингов, тем выше производительность памяти. Например, модуль с латентностью CAS 2,5 должен работать лучше, чем с латентностью 3,0.
ЭТО АЗБУКА
Автор
Тема: Advanced Chipset Features, есть вопросы!. (Прочитано 3917 раз)