Печать

Пожалуйста, войдите или зарегистрируйтесь.

[cynami]

Не могу понять в чем дело. Имеются две плашки Samsung DDR-1333 Mhz  4Gb M378B5173BH0 - CH9 (4Гбит односторонние).

Spoiler:  • показать

Выставляю частоту 1866 , тайминги в авто режиме (11-13-13-34 cr1), напруга 1.5v/ Запускаю тест

Spoiler:  • показать

Затем  проставляю РУКАМИ тайминги 11-13-13-34 cr1(такие же как и в авто) , остальные тайминги в авто как и в первом случае. Запускаю тест

Spoiler:  • показать

Производительность упала почему-то, хотя все настройки одинаковы. Потом бегу и меняю тайминги на 9-11-11-28 cr2. Запускаю тест

Spoiler:  • показать

В чем дело? Плашки пробывал сувать 1 и 3 слоты 2 и 4 слоты, без разницы. Перепрошил все версии БИОСА ( 3шт) .Все тоже самое. Пробывал и с одной планкой, картина такая же.
Самое интересное что когда выбираю пункт меню в БИОСе Dram Timing Mode-> Link->Advanced DRAM Configuration и там все проставляю в АВТО , то производителность падает (как на 3-ем скрине) Если Link опять выставить в авто (становиться недоступен пункт Advanced DRAM Configuration) то производительносто вырастает как на 2-ом скрине. Может кто знает в чем дело?